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MOSFETs 晶体管阵列 / SI4534DY-T1-GE3
- 价格 起订量
- ￥ 11.49774 1+
- ￥ 10.84692 10+
- ￥ 10.23295 100+
- ￥ 9.65372 500+
- ￥ 9.10729 1000+
- 型号： SI4534DY-T1-GE3
- 厂商： Vishay Micro-Measurements(威势应变片)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： N- AND P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSF
- 库存地点： 内地
- 库存： 5846
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.49774
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 供应商器件包装：8-SOIC
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Base Product Number：SI4534
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
- 厂商：Vishay Siliconix
- Product Status：活跃
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：TrenchFET®
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 配置：N and P-Channel
- 功率 - 最大：2W (Ta), 3.6W (Tc)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：420pF @ 30V, 650pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11nC @ 10V, 22nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 场效应管特性：-
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