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单MOSFET晶体管 / PDTD113ZT
- 价格 起订量
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- 型号： PDTD113ZT
- 厂商： NXP(恩智浦)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
- 库存地点： 内地
- 库存： 3024
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300 mV
- hFEMin：70
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 元素配置：Single
- 功率耗散：250 mW
- 集电极发射器电压(VCEO)：50 V
- 最大集电极电流：500 mA
- 集电极基极电压(VCBO)：50 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5 V
- 最大结点温度（Tj）：150 °C
- 环境温度范围高：150 °C
- 宽度：1.4 mm
- 高度：1 mm
- 长度：3 mm
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