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RF BJT 晶体管 / MRF555
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： MRF555
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装：
- 描述： Trans GP BJT NPN 16V 0.5A 4-Pin Power Macro
- 库存地点： 内地
- 库存： 3030
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Obsolete (Last Updated: 2 months ago)
- 底架：表面贴装
- 表面安装：YES
- 引脚数：4
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：16 V
- RoHS：Compliant
- Package Style：磁盘按钮
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：MRF555
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.36
- 包装：Bulk
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 子类别：其他晶体管
- 最大功率耗散：3 W
- 端子位置：RADIAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- JESD-30代码：O-PRDB-F4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：COLLECTOR
- 极性/通道类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：16 V
- 最大集电极电流：500 mA
- 增益：13 dB
- 集电极基极电压(VCBO)：30 V
- 最大耗散功率(Abs)：3 W
- 集电极电流-最大值(IC)：0.5 A
- 最小直流增益（hFE）：50
- 集电极-发射器电压-最大值：16 V
- 最高频段：超高频段
- 集电极-基极电容-最大值：5.5 pF
- 辐射硬化：无
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