简体中文
图片经供参考，以实物为准
RF BJT 晶体管 / MRF581A
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： MRF581A
- 厂商： Advanced
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： Macro-X
- 描述： RF Bipolar Transistors RF Transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 3569
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：Macro-X
- Emitter- Base Voltage VEBO：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：1.25 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：90
- Unit Weight：0.003527 oz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：15 V
- 包装：Tray
- 类型：射频双极小信号
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 工作频率：1 GHz
- 产品类别：射频双极晶体管
- 晶体管类型：Bipolar
- 连续集电极电流：200 mA
- 产品类别：射频双极晶体管
相关产品
