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单片IGBT晶体管 / IPC218N06L3
- 价格 起订量
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- 型号： IPC218N06L3
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装：
- 描述： IGBT Transistors MOSFET N-Ch 60V 1mA D2PAK-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：UNCASED CHIP, R-XXUC-N
- Package Style：UNCASED CHIP
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IPC218N06L3
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.71
- 端子位置：UNSPECIFIED
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：R-XXUC-N
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.1 Ω
- DS 击穿电压-最小值：60 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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