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单MOSFET晶体管 / EPC2307ENGRT
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： EPC2307ENGRT
- 厂商： EPC
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 7-PowerWQFN
- 描述： TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 455
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：7-PowerWQFN
- 供应商器件包装：7-QFN (3x5)
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Base Product Number：EPC2307
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：48A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- 厂商：EPC
- Power Dissipation (Max)：-
- Product Status：活跃
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 4mA
- 操作温度：-40°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：eGaN®
- 技术：GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10mOhm @ 16A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1401 pF @ 100 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10.6 nC @ 5 V
- 漏源电压 (Vdss)：200 V
- Vgs（最大值）：+6V, -4V
- 场效应管特性：-
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