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RF BJT 晶体管 / NE85633-T1B-A
- 价格 起订量
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- 型号： NE85633-T1B-A
- 厂商： NEC(日电电子)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装：
- 描述： Trans Gp Bjt NPN 12V 0.1A 3-PIN SOT-23 T/r
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 质量：1.437803 g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12 V
- Voltage Rating (DC)：12 V
- RoHS：Compliant
- 包装：切割胶带
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 最大功率耗散：200 mW
- 额定电流：100 mA
- 频率：1 GHz
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 增益带宽积：7 GHz
- 集电极发射器电压(VCEO)：12 V
- 最大集电极电流：100 mA
- 增益：11.5 dB
- 转换频率：7 GHz
- 最大击穿电压：12 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3 V
- 连续集电极电流：100 mA
- 宽度：1.5 mm
- 高度：1.1 mm
- 长度：2.9 mm
- 无铅：无铅
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