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单MOSFET晶体管 / SI2392BDS-T1-GE3
- 价格 起订量
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- 型号： SI2392BDS-T1-GE3
- 厂商： Vishay Micro-Measurements(威势应变片)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
- 库存地点： 内地
- 库存： 13062
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供应商器件包装：SOT-23-3 (TO-236)
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Base Product Number：SI2392
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A (Ta), 2.3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- 厂商：Vishay Siliconix
- Power Dissipation (Max)：1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
- Product Status：活跃
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：100 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3 V
- Pd - Power Dissipation：1.7 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Qg - Gate Charge：4.7 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：180 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：2.3 A
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：TrenchFET®
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：52mOhm @ 10A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：290 pF @ 50 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：7.1 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：100 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 场效应管特性：-
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