简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / SQ4401CEY-T1_GE3
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： SQ4401CEY-T1_GE3
- 厂商： Vishay Micro-Measurements(威势应变片)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
- 库存地点： 内地
- 库存： 5265
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 供应商器件包装：8-SOIC
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17.3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- 厂商：Vishay Siliconix
- Power Dissipation (Max)：7.14W (Tc)
- Product Status：活跃
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：40 V
- Typical Turn-On Delay Time：35 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：7.14 W
- Transistor Polarity：P-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Forward Transconductance - Min：30 S
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Vishay
- Brand：Vishay Semiconductors
- Qg - Gate Charge：71 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：14 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：62 ns
- Id - Continuous Drain Current：17.3 A
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- 包装：MouseReel
- 子类别：MOSFETs
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：14mOhm @ 10.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4250 pF @ 20 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：115 nC @ 10 V
- 上升时间：52 ns
- 漏源电压 (Vdss)：40 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 产品类别：MOSFET
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
相关产品
