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单MOSFET晶体管 / G630J
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： G630J
- 厂商： GOFORD(谷峰)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.
- 库存地点： 内地
- 库存： 201
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 供应商器件包装：TO-251
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Goford Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：83W (Tc)
- Product Status：活跃
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：G
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：280mOhm @ 4.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：509 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11.8 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：200 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 场效应管特性：-
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