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整流二极管阵列 / MSCSM120VR1M31C1AG
- 价格 起订量
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- 型号： MSCSM120VR1M31C1AG
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 整流二极管阵列
- 封装： Module
- 描述： PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F
- 库存地点： 内地
- 库存： 2411
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 供应商器件包装：-
- Package：Bulk
- Base Product Number：MSCSM120
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：89A (Tc)
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Vr - Reverse Voltage：1700 V
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：1200 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.8 V
- Pd - Power Dissipation：395 W
- Maximum Operating Temperature：+ 125 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 10 V, + 23 V
- Minimum Operating Temperature：- 40 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：螺钉安装
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- Rds On - Drain-Source Resistance：31 mOhms
- RoHS：Details
- Id - Continuous Drain Current：89 A
- 操作温度：-40°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：-
- 类型：MOSFET Power Module
- 子类别：Discrete Semiconductor Modules
- 技术：Silicon Carbide (SiC)
- 配置：2 N Channel (Phase Leg)
- 功率 - 最大：395W (Tc)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：31mOhm @ 40A, 20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 3mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3020pF @ 1000V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：232nC @ 20V
- 漏源电压 (Vdss)：1200V (1.2kV)
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 场效应管特性：-
- 产品：Rectifier Modules
- Vf-正向电压：1.8 V
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
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