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单相齐纳二极管 / ESDA25DB3
- 价格 起订量
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- 型号： ESDA25DB3
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相齐纳二极管
- 封装：
- 描述： Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 20 Element, Silicon
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 二极管元件材料：SILICON
- 终端数量：20
- RoHS：Compliant
- Package Description：PLASTIC, SO-20
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：125 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：ESDA25DB3
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：STMicroelectronics
- Number of Elements：20
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：STMICROELECTRONICS
- Risk Rank：5.75
- Part Package Code：SOD
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8541.10.00.50
- 子类别：瞬态抑制器
- 技术：AVALANCHE
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：20
- JESD-30代码：R-PDSO-G20
- 资历状况：不合格
- 极性：BIDIRECTIONAL
- 配置：COMMON CATHODE, 20 ELEMENTS
- 通道数量：18
- 二极管类型：跨压抑制二极管
- 最大非代表峰值转速功率Dis：500 W
- 反向电流-最大值：2 µA
- 击穿电压-最小值：25 V
- 击穿电压-最大值：30 V
- 二极管电容-最小值：50 pF
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