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RF MOSFETs 晶体管 / AGR21180EF
- 价格 起订量
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- 型号： AGR21180EF
- 厂商： Advanced
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装：
- 描述： RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 38Watt Gain 14dB
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：10
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- RoHS：Details
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Manufacturer Part Number：AGR21180EF
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：AVAGO TECHNOLOGIES INC
- Risk Rank：5.25
- 包装：Tray
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 子类别：MOSFETs
- 技术：Si
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：225
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：R-CDFM-F4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：SOURCE
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 产品类别：射频MOSFET晶体管
- DS 击穿电压-最小值：65 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：500 W
- 最高频段：S带
- 产品类别：射频MOSFET晶体管
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