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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / PEMD48115
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： PEMD48115
- 厂商： NXP(恩智浦)
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： NOW NEXPERIA PEMD48 - SMALL SIGN
- 库存地点： 内地
- 库存： 24000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 供应商器件包装：SOT-666
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Base Product Number：PEMD48
- 厂商：恩智浦半导体
- Product Status：活跃
- 系列：-
- 功率 - 最大：300mW
- 晶体管类型：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V
- 最大集极截止电流：1µA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 频率转换：-
- 电阻基(R1)：4.7kOhms, 22kOhms
- 电阻-发射极基极(R2)：47kOhms
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