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RF BJT 晶体管 / MRF221
- 价格 起订量
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- 型号： MRF221
- 厂商： Advanced
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： 211-07
- 描述： RF Bipolar Transistors RF Transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：211-07
- 表面安装：NO
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：31 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：5
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Mounting Styles：螺钉安装
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：18 V
- Package Description：,
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Transition Frequency-Nom (fT)：175 MHz
- Manufacturer Part Number：MRF221
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ASI SEMICONDUCTOR INC
- Risk Rank：5.6
- 包装：Tray
- 类型：射频双极功率
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- Reach合规守则：unknown
- 工作频率：175 MHz
- 配置：Single
- 极性/通道类型：NPN
- 产品类别：射频双极晶体管
- 晶体管类型：双极电源
- 最大耗散功率(Abs)：31 W
- 集电极电流-最大值(IC)：2.5 A
- 最小直流增益（hFE）：5
- 连续集电极电流：2.5 A
- 产品类别：射频双极晶体管
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