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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / EMF4T2R
- 价格 起订量
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- 型号： EMF4T2R
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 12V 10
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：EMT6
- 终端数量：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Tape & Reel (TR)
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA, 500mA
- Base Product Number：EMF4
- 厂商：Rohm Semiconductor
- Product Status：活跃
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：10
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Transition Frequency-Nom (fT)：250 MHz
- Manufacturer Part Number：EMF4T2R
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：ROHM 半导体
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：ROHM CO LTD
- Risk Rank：5.84
- Part Package Code：SC-107
- 系列：-
- JESD-609代码：e2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铜
- 附加功能：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- HTS代码：8541.21.00.75
- 子类别：BIP 通用小信号
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：6
- JESD-30代码：R-PDSO-F6
- 资历状况：不合格
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- 功率 - 最大：150mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN和PNP
- 晶体管类型：1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- 最大集极截止电流：500nA, 100nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V, 12V
- 频率转换：250MHz, 260MHz
- 最大耗散功率(Abs)：0.15 W
- 集电极电流-最大值(IC)：0.1 A
- 最小直流增益（hFE）：20
- 电阻基(R1)：2.2kOhms
- 电阻-发射极基极(R2)：2.2kOhms
- 集电极-发射器电压-最大值：50 V
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