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单MOSFET晶体管 / IPW60R045CP

  • 价格 起订量
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  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: IPW60R045CP
  • 厂商: Infineon(英飞凌)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-247-3
  • 描述: MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 860000
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 包装/外壳:TO-247-3
  • 表面安装:NO
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
  • Typical Turn-On Delay Time:30 ns
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
  • Pd - Power Dissipation:431 W
  • Transistor Polarity:N-Channel
  • Maximum Operating Temperature:+ 150 C
  • Vgs - Gate-Source Voltage:- 20 V, + 20 V
  • Unit Weight:0.211644 oz
  • Minimum Operating Temperature:- 55 C
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:240
  • Mounting Styles:通孔
  • Channel Mode:Enhancement
  • Part # Aliases:IPW6R45CPXK SP000067149 IPW60R045CPFKSA1
  • Manufacturer:Infineon
  • Brand:Infineon Technologies
  • Qg - Gate Charge:190 nC
  • Tradename:CoolMOS
  • Rds On - Drain-Source Resistance:40 mOhms
  • RoHS:Details
  • Typical Turn-Off Delay Time:100 ns
  • Id - Continuous Drain Current:60 A
  • Package Description:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
  • Package Style:FLANGE MOUNT
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Operating Temperature-Min:-55 °C
  • Reflow Temperature-Max (s):40
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:IPW60R045CP
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:不推荐
  • Ihs Manufacturer:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Risk Rank:8.4
  • Part Package Code:TO-247
  • Drain Current-Max (ID):60 A
  • 系列:CoolMOS CE
  • 包装:Tube
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:
  • 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
  • 子类别:MOSFETs
  • 技术:Si
  • 端子位置:SINGLE
  • 终端形式:THROUGH-HOLE
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):260
  • Reach合规守则:compliant
  • 引脚数量:3
  • JESD-30代码:R-PSFM-T3
  • 资历状况:不合格
  • 配置:Single
  • 通道数量:1 Channel
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 上升时间:20 ns
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • 产品类别:MOSFET
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • JEDEC-95代码:TO-247
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
  • 漏极-源极导通最大电阻:0.045 Ω
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM):230 A
  • DS 击穿电压-最小值:600 V
  • 雪崩能量等级(Eas):1950 mJ
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):431 W
  • 产品类别:MOSFET
  • 宽度:5.21 mm
  • 高度:21.1 mm
  • 长度:16.13 mm

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