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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / IKW75N60H3
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： IKW75N60H3
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
- 库存地点： 内地
- 库存： 2400
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：1 Week
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：PG-TO247-3-41
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：80 A
- 厂商：Infineon Technologies
- Product Status：活跃
- Test Conditions：400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
- Risk Rank：1.61
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Part Life Cycle Code：活跃
- Number of Elements：1
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer Part Number：IKW75N60H3
- Rohs Code：有
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- 操作温度：-40°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：TRENCHSTOP™
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 子类别：绝缘栅BIP晶体管
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：428 W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-247
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 最大耗散功率(Abs)：428 W
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V, 75A
- 集电极电流-最大值(IC)：80 A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 集电极-发射器电压-最大值：600 V
- 闸门收费：470 nC
- 集极脉冲电流（Icm）：225 A
- Td（开/关）@25°C：31ns/265ns
- 开关能量：3mJ (on), 1.7mJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20 V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：5.7 V
- 反向恢复时间(trr)：190 ns
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