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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / IGW30N100T
- 价格 起订量
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- 型号： IGW30N100T
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412mW Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 452
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-247-3
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Operating Temperature (Max.)：175C
- Operating Temperature Classification：Military
- Package Type：TO-247
- Collector Current (DC)：60(A)
- Rad Hardened：无
- Collector-Emitter Voltage：1000(V)
- Operating Temperature (Min.)：-55C
- Gate to Emitter Voltage (Max)：±20(V)
- Mounting：通孔
- Maximum Gate Emitter Voltage：- 20 V, + 20 V
- Pd - Power Dissipation：412 W
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.55 V
- Unit Weight：0.211644 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：240
- Continuous Collector Current at 25 C：60 A
- Mounting Styles：通孔
- Part # Aliases：IGW3N1TXK SP000380845 IGW30N100TFKSA1
- Manufacturer：Infineon
- Brand：Infineon Technologies
- Continuous Collector Current Ic Max：30 A
- Tradename：TRENCHSTOP
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：1 kV
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Turn-on Time-Nom (ton)：54 ns
- Turn-off Time-Nom (toff)：569 ns
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IGW30N100T
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Samacsys Description：IGBT 1000V, 60A,TO-247-3
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：8.57
- Part Package Code：TO-247AD
- 包装：Rail/Tube
- 系列：TRENCHSTOP IGBT
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 子类别：IGBTs
- 技术：Si
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3 +Tab
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 产品类别：IGBT晶体管
- JEDEC-95代码：TO-247AD
- 信道型：N
- 最大耗散功率(Abs)：412 W
- 集电极电流-最大值(IC)：60 A
- 集电极-发射器电压-最大值：1000 V
- 栅极-发射极电压-最大值：20 V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.4 V
- 产品类别：IGBT晶体管
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