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单相BJT晶体管 / 2SCR583D3TL1
- 价格 起订量
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- 型号： 2SCR583D3TL1
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3
- 描述： Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 2562
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3
- 供应商器件包装：TO-252
- Emitter-Base Voltage：6(V)
- Operating Temperature Classification：Military
- Package Type：DPAK
- Transistor Polarity：NPN
- Collector-Base Voltage：50(V)
- Category：双极电源
- Operating Temp Range：-55C to 150C
- Collector Current (DC)：7(A)
- Number of Elements：1
- Rad Hardened：无
- Mounting：表面贴装
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Collector Emitter Voltage：50 V
- Maximum DC Collector Current：7 A
- Minimum DC Current Gain：180
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Qualification：-
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Pd - Power Dissipation：10 W
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：160 mV
- Minimum Operating Temperature：-
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：280 MHz
- Manufacturer：ROHM 半导体
- Brand：ROHM 半导体
- DC Current Gain hFE Max：450 at 1 A, 3 V
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：50 V
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current-Collector (Ic) (Max)：7 A
- 厂商：Rohm Semiconductor
- Product Status：活跃
- 包装：卷带
- 操作温度：150°C (TJ)
- 系列：-
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 频率：280(MHz)
- 引脚数量：2 +Tab
- 配置：Single
- 功率耗散：10(W)
- 输出功率：Not Required(W)
- 功率 - 最大：10 W
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：180 @ 1A, 3V
- 最大集极截止电流：1µA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：350mV @ 150mA, 3A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V
- 转换频率：280MHz
- 频率转换：280MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：50 V
- 连续集电极电流：7A
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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