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整流二极管阵列 / G3S06506B
- 价格 起订量
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- 型号： G3S06506B
- 厂商： Global Power
- 类别： 整流二极管阵列
- 封装： TO-247-3
- 描述： 650V/ 6A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件包装：TO-247AB
- Package：Cut Tape (CT);Tape & Box (TB);
- 厂商：Global Power Technology-GPT
- Product Status：活跃
- Current - Average Rectified (Io) (per Diode)：14A (DC)
- 系列：-
- 速度：No Recovery Time > 500mA (Io)
- 二极管类型：碳化硅肖特基
- 反向泄漏电流@ Vr：50 µA @ 650 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 3 A
- 工作温度 - 结点：-55°C ~ 175°C
- 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）：650 V
- 二极管配置：1 Pair Common Cathode
- 反向恢复时间(trr)：0 ns
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