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单MOSFET晶体管 / 2N6499
- 价格 起订量
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- 型号： 2N6499
- 厂商： Multicomp
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： Bipolar (BJT) Single Transistor,NPN, 350 V, 5 A, 80 W, TO-220, Through Hole
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- MSL：-
- Qualification：-
- Transistor Polarity：NPN
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：350 V
- RoHS：Compliant
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Transition Frequency-Nom (fT)：5 MHz
- Manufacturer Part Number：2N6499
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Inchange Semiconductor Company Ltd
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：接触制造商
- Ihs Manufacturer：INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD
- Turn-off Time-Max (toff)：3500 ns
- Rise Time-Max (tr)：1000 ns
- Risk Rank：5.72
- 最高工作温度：150 °C
- 最大功率耗散：80 W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 极性：NPN
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：80W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：350 V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 转换频率：5MHz
- 最大耗散功率(Abs)：80 W
- 集电极电流-最大值(IC)：5 A
- 最小直流增益（hFE）：3
- 连续集电极电流：5A
- 集电极-发射器电压-最大值：350 V
- VCEsat-最大值：5 V
- 最大下降时间 (tf)：1000 ns
- 达到SVHC：无SVHC
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