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单MOSFET晶体管 / NTB30N06
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： NTB30N06
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： N-CHANNEL POWER MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Bulk
- 厂商：onsemi
- Product Status：活跃
- Package Description：CASE 418B-04, D2PAK-3
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：CASE 418B-04
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：NTB30N06
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.15
- Drain Current-Max (ID)：27 A
- 系列：*
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- 端子表面处理：锡铅
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：235
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：COMMERCIAL
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.042 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：80 A
- DS 击穿电压-最小值：60 V
- 雪崩能量等级（Eas）：101 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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