图片经供参考,以实物为准

评估套件和板 / CYDP1049
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: CYDP1049
- 厂商: Infineon(英飞凌)
- 类别: 评估套件和板
- 封装: 8-PowerTDFN
- 描述: DEVELOPMENT KIT
- 库存地点: 内地
- 库存: 782
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件包装:8-PQFN (5x6)
- Package:Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:19A (Ta), 42A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
- 厂商:Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max):2.5W (Ta), 46W (Tc)
- Product Status:活跃
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
- Manufacturer:Infineon
- Brand:Infineon Technologies
- RoHS:N
- 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列:PowerTrench®, SyncFET™
- 包装:Bulk
- 类型:-
- 子类别:开发工具
- 技术:MOSFET (Metal Oxide)
- 功能:-
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:4mOhm @ 18A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
- 使用的 IC/零件:-
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:2820 pF @ 15 V
- 提供的内容:Board(s)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:46 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss):30 V
- Vgs(最大值):±20V
- 产品类别:存储器IC开发工具
- 主要属性:-
- 嵌入式:-
- 次要属性:-
- 场效应管特性:-
- 产品类别:存储器IC开发工具
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