图片经供参考,以实物为准

MOSFETs 晶体管阵列 / DMC4028SSDQ-13

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: DMC4028SSDQ-13
  • 厂商: DIODES(美台)
  • 类别: MOSFETs 晶体管阵列
  • 封装: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • 描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T&R 2.5K
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 9200
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:17 Weeks
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • 表面安装:YES
  • 供应商器件包装:8-SOP
  • 终端数量:8
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:2500
  • Manufacturer:Diodes Incorporated
  • Brand:Diodes Incorporated
  • RoHS:Details
  • Package:Tape & Reel (TR)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:5.4A (Ta), 4A (Ta)
  • 厂商:Diodes Incorporated
  • Product Status:活跃
  • Package Description:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
  • Package Style:小概要
  • Moisture Sensitivity Levels:1
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):30
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:DMC4028SSDQ-13
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Number of Elements:2
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:DIODES INC
  • Risk Rank:5.69
  • Part Package Code:SOT
  • Drain Current-Max (ID):5.4 A
  • 包装:Reel
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 系列:Automotive, AEC-Q101
  • JESD-609代码:e3
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
  • 附加功能:HIGH RELIABILITY
  • 子类别:MOSFETs
  • 技术:Si
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):260
  • Reach合规守则:compliant
  • 引脚数量:8
  • 参考标准:AEC-Q101
  • JESD-30代码:R-PDSO-G8
  • 配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 功率 - 最大:1.25W (Ta)
  • 场效应管类型:N and P-Channel
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:28mOhm @ 6A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:604pF @ 20V, 674pF @ 20V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:12.9nC @ 10V, 14nC @ 10V
  • 漏源电压 (Vdss):40V
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
  • 产品类别:MOSFET
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID):7.2 A
  • 漏极-源极导通最大电阻:0.028 Ω
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM):27.3 A
  • DS 击穿电压-最小值:40 V
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):2.16 W
  • 场效应管特性:Standard
  • 产品类别:MOSFET

采购询价