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单相BJT晶体管 / 2N5582
- 价格 起订量
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- 型号： 2N5582
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
- 描述： TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 9
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
- 触点镀层：Lead, Tin
- 底架：通孔
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：TO-46-3
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- RoHS：Non-Compliant
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：800 mA
- Base Product Number：2N5582
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Schedule B：8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/85
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50 V
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：无
- Transition Frequency-Nom (fT)：300 MHz
- Manufacturer Part Number：2N5582
- Turn-on Time-Max (ton)：35 ns
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Turn-off Time-Max (toff)：300 ns
- Risk Rank：5.19
- Part Package Code：BCY
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Pd - Power Dissipation：500 mW
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300 mV
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：通孔
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Maximum DC Collector Current：800 mA
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：50 V
- 操作温度：-55°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：-
- 包装：Bulk
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：其他晶体管
- 最大功率耗散：500 mW
- 技术：Si
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：O-MBCY-W3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 功率 - 最大：500 mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：1 V
- 最大集电极电流：800 mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
- 最大集极截止电流：10µA (ICBO)
- JEDEC-95代码：TO-46
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：75 V
- 最大耗散功率(Abs)：2 W
- 集电极电流-最大值(IC)：0.8 A
- 最小直流增益（hFE）：100
- 集电极-发射器电压-最大值：40 V
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