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RF MOSFETs 晶体管 / BLF2425M7L140,118

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  • 型号: BLF2425M7L140,118
  • 厂商: NXP(恩智浦)
  • 类别: RF MOSFETs 晶体管
  • 封装:
  • 描述: Transistor Rf Power Ldmost
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 底架:Screw
  • 表面安装:YES
  • 引脚数:3
  • 终端数量:2
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • RoHS:Non-Compliant
  • Voltage, Rating:65 V
  • Number of Elements:1
  • Package Description:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
  • Package Style:FLANGE MOUNT
  • Package Body Material:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:BLF2425M7L140,118
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:Ampleon
  • Part Life Cycle Code:Obsolete
  • Ihs Manufacturer:AMPLEON NETHERLANDS B V
  • Risk Rank:5.69
  • 容差:1 %
  • ECCN 代码:EAR99
  • 电阻:143 Ω
  • 最高工作温度:225 °C
  • 最小工作温度:-65 °C
  • 额定功率:100 mW
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:FLAT
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:unknown
  • 频率:2.5 GHz
  • 参考标准:IEC-60134
  • JESD-30代码:R-CDFM-F2
  • 配置:SINGLE
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 箱体转运:SOURCE
  • 输出功率:140 W
  • 晶体管应用:AMPLIFIER
  • 测试电流:1.3 A
  • 漏源电压 (Vdss):65 V
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • 栅极至源极电压(Vgs):13 V
  • 增益:18.5 dB
  • 最高频率:2.5 GHz
  • 漏源击穿电压:65 V
  • DS 击穿电压-最小值:65 V
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最高频段:S带
  • 测试电压:28 V
  • 无铅:含铅

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