单MOSFET晶体管 / APL602B2G

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型号： APL602B2G
厂商： MICROCHIP(美国微芯)
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-247-3 Variant
描述： MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
库存地点：内地
库存： 9000
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
安装类型：通孔
包装/外壳：TO-247-3 Variant
表面安装：NO
引脚数：3
供应商器件包装：T-MAX™ [B2]
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
Qualification：AEC-Q200
Maximum Operating Temperature：+ 105 C
Supply Voltage-Max：5 V
Minimum Operating Temperature：- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1000
Supply Voltage-Min：1.8 V
Manufacturer：CTS
Brand：CTS电子元件
RoHS：Details
Package：Tube
Base Product Number：APL602
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：12V
厂商：微芯片技术
Power Dissipation (Max)：730W (Tc)
Product Status：活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 2.5mA
Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style：IN-LINE
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：150 °C
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：APL602B2G
Package Shape：RECTANGULAR
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Risk Rank：5.17
Drain Current-Max (ID)：49 A
系列：CA70
包装：Reel
操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码：e1
端子表面处理：锡银铜
子类别：Oscillators
技术：MOSFET (Metal Oxide)
端子位置：SINGLE
终端形式：THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
频率：38.4 MHz
频率稳定性：30 PPM
终端样式：SMD/SMT
JESD-30代码：R-PSIP-T3
资历状况：不合格
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
负载电容：15 pF
操作模式：增强型MOSFET
箱体转运：DRAIN
场效应管类型：N-Channel
晶体管应用：AMPLIFIER
Rds On(Max)@Id,Vgs：125mOhm @ 24.5A, 12V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9000 pF @ 25 V
漏源电压 (Vdss)：600 V
Vgs（最大值）：±30V
极性/通道类型：N-CHANNEL
产品类别：标准振荡器
最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A
漏极-源极导通最大电阻：0.125 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：196 A
DS 击穿电压-最小值：600 V
雪崩能量等级（Eas）：3000 mJ
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
输出格式：HCMOS
最大耗散功率(Abs)：730 W
场效应管特性：-
产品：功率MOSFET模块
产品类别：标准时钟振荡器
宽度：5 mm
高度：1.8 mm
长度：7 mm
达到SVHC：compliant