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MOSFETs 晶体管阵列 / PMDPB70EN115
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: PMDPB70EN115
- 厂商: NXP(恩智浦)
- 类别: MOSFETs 晶体管阵列
- 封装: 0603 (1608 Metric)
- 描述: PMDPB70EN - SMALL SIGNAL, HUSON6
- 库存地点: 内地
- 库存: 33021
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:Surface Mount, MLCC
- 包装/外壳:0603 (1608 Metric)
- 供应商器件包装:6-HUSON (2x2)
- Package:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Base Product Number:VJ0603
- 厂商:Vishay Vitramon
- Product Status:活跃
- Voltage Rated:250V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:3.5A
- 操作温度:-55°C ~ 125°C
- 系列:VJ HIFREQ
- 尺寸/尺寸:0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
- 容差:±5%
- 温度系数:C0G, NP0
- 应用:RF, Microwave, High Frequency
- 电容量:18 pF
- 引线间距:-
- 功率 - 最大:510mW
- 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs:57mOhm @ 3.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:130pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:4.5nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss):30V
- 场效应管特性:逻辑电平门
- 特征:High Q, Low Loss
- 座位高度(最大):-
- 厚度(最大):0.037 (0.94mm)
- 评级结果:-
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