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单MOSFET晶体管 / 2N7002DWH6327XT
- 价格 起订量
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- 型号： 2N7002DWH6327XT
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-363-6
- 描述： MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 8985
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：SOT-363-6
- 底架：表面贴装
- 引脚数：6
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：5000
- Manufacturer：Micro Commercial Components (MCC)
- Brand：Micro Commercial Components (MCC)
- RoHS：Details
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：60 V
- Typical Turn-On Delay Time：3 ns, 3 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：1.5 V
- Qualification：AEC-Q101
- Pd - Power Dissipation：500 mW
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Unit Weight：0.000265 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Forward Transconductance - Min：200 mS, 200 mS
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：SP000917596 2N7002DWH6327XTSA1
- Qg - Gate Charge：600 pC
- Rds On - Drain-Source Resistance：1.6 Ohms
- Typical Turn-Off Delay Time：5.5 ns, 5.5 ns
- Id - Continuous Drain Current：300 mA
- Turn Off Delay Time：5.5 ns
- 包装：切割胶带
- 系列：2N7002
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：MOSFETs
- 最大功率耗散：500 mW
- 技术：Si
- 配置：Dual
- 通道数量：2 Channel
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：500 mW
- 接通延迟时间：3 ns
- 上升时间：3.3 ns, 3.3 ns
- 漏源电压 (Vdss)：60 V
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：2 N-Channel
- 连续放电电流(ID)：300 mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 漏源击穿电压：60 V
- 输入电容：13 pF
- 最大结点温度（Tj）：150 °C
- 漏源电阻：1.6 Ω
- 产品类别：MCC
- 宽度：1.25 mm
- 高度：0.9 mm
- 长度：2 mm
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