图片经供参考,以实物为准

单相齐纳二极管 / JANTXV1N4550RB
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: JANTXV1N4550RB
- 厂商: MICROCHIP(美国微芯)
- 类别: 单相齐纳二极管
- 封装: TO-220-3
- 描述: ZENER DIODE
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件包装:TO-220AB
- Package:Bulk
- Base Product Number:SUP90
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:90A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
- 厂商:Vishay Siliconix
- Power Dissipation (Max):3.1W (Ta), 125W (Tc)
- Product Status:Obsolete
- Impedance (Max) (Zzt):0.16 Ohms
- 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列:TrenchFET®
- 容差:±5%
- 技术:MOSFET (Metal Oxide)
- 反向泄漏电流@ Vr:150 µA @ 500 mV
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 10 A
- 功率 - 最大:50 W
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:3.3mOhm @ 22A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:5286 pF @ 20 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:131 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss):40 V
- Vgs(最大值):±20V
- 电压 - 齐纳(标准值)(Vz):4.3 V
- 场效应管特性:-
相关产品

