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图片经供参考，以实物为准
单相齐纳二极管 / BAS21 /T3
- 价格 起订量
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- 型号： BAS21 /T3
- 厂商： NXP(恩智浦)
- 类别： 单相齐纳二极管
- 封装： 1210 (3225 Metric)
- 描述： @diode Sw TAPE-11, SOT23, R76 <az, (10K)
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：1210 (3225 Metric)
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：1210
- 二极管元件材料：SILICON
- 终端数量：3
- Base Product Number：TNPW1210
- 厂商：Vishay Dale
- Product Status：活跃
- Package：Tape & Reel (TR)
- RoHS：Compliant
- Package Description：R-PDSO-G3
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：BAS21/T3
- Power Dissipation (Max)：0.25 W
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：恩智浦半导体
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：NXP SEMICONDUCTORS
- Forward Voltage-Max (VF)：1.25 V
- Risk Rank：5.07
- Part Package Code：SOT-23
- 系列：TNPW e3
- 操作温度：-55°C ~ 155°C
- 尺寸/尺寸：0.126 L x 0.096 W (3.20mm x 2.45mm)
- 容差：±0.1%
- JESD-609代码：e3
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 温度系数：±10ppm/°C
- 电阻：499 Ohms
- 端子表面处理：TIN
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 组成：Thin Film
- 功率(瓦特)：0.333W, 1/3W
- HTS代码：8541.10.00.70
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 失败率：-
- 极性：Standard
- 配置：SINGLE
- 元素配置：Single
- 二极管类型：接收电极
- 输出电流：200 mA
- 最大反向漏电电流：100 nA
- 最大浪涌电流：1.7 A
- 输出电流-最大值：0.2 A
- Rep Pk反向电压-最大值：250 V
- JEDEC-95代码：TO-236AB
- 最大非代表Pk前进电流：2.5 A
- 反向电流-最大值：0.1 µA
- 恢复时间：50 ns
- 反向恢复时间-最大值：0.05 µs
- 特征：Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
- 座位高度(最大)：0.030 (0.75mm)
- 无铅：无铅
- 评级结果：AEC-Q200
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