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晶体 / FC3BSHHEF27.12-T3
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: FC3BSHHEF27.12-T3
- 厂商: Fox Electronics
- 类别: 晶体
- 封装: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- 描述: Crystal 27.12MHz 4-Pin CSMD T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 29
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:9 Weeks
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- 供应商器件包装:I2PAK (TO-262)
- Package:Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:56A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- 厂商:Harris Corporation
- Power Dissipation (Max):200W (Tc)
- Product Status:Obsolete
- Standard Frequency:27.12 MHz
- Rohs Code:有
- Manufacturer Part Number:FC3BSHHEF27.12-T3
- Manufacturer:Fox Electronics
- Part Life Cycle Code:活跃
- Ihs Manufacturer:FOX ELECTRONICS
- Risk Rank:5.65
- 操作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 系列:UltraFET™
- JESD-609代码:e4
- 端子表面处理:Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
- 技术:MOSFET (Metal Oxide)
- Reach合规守则:compliant
- 频率稳定性:10 ppm
- 工作频率:27.12 MHz
- 负载电容:10 pF
- 频率容差:10 ppm
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:25mOhm @ 56A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:2000 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:130 nC @ 20 V
- 漏源电压 (Vdss):100 V
- Vgs(最大值):±20V
- 晶体/谐振器类型:PARALLEL - FUNDAMENTAL
- 场效应管特性:-
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