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单MOSFET晶体管 / IRF6618TRPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRF6618TRPBF
- 厂商： International Rectifier
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： Module
- 描述： IRF6618 - DIRECTFET POWER MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：Module
- 供应商器件包装：DIRECTFET™ MT
- Current Sensing：54A
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A (Ta), 170A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- 厂商：International Rectifier
- Power Dissipation (Max)：2.8W (Ta), 89W (Tc)
- Product Status：活跃
- 操作温度：-40°C ~ 110°C
- 系列：CQ
- 包装：Bulk
- 零件状态：活跃
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 电压 - 供电 ：4.5 V ~ 5.5 V
- 频率：300kHz
- 输出量：Ratiometric, Voltage
- 最大电流源：11mA
- 通道数量：1
- 极化：双向
- 准确性：1%
- 回应时间：1µs
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.2mOhm @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5640 pF @ 15 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：65 nC @ 4.5 V
- 漏源电压 (Vdss)：30 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 传感器类型：Hall Effect, Open Loop
- 线性：±1%
- 敏感度：40mV/A
- 用于测量：AC/DC
- 场效应管特性：-
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