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RF MOSFETs 晶体管 / BLF8G22LS-200GVJ
- 价格 起订量
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- 型号： BLF8G22LS-200GVJ
- 厂商： NXP(恩智浦)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Transistor Rf Power 200W ACC-6L
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：SOT-23
- 终端数量：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Bulk
- Base Product Number：MMBZ5231
- Impedance (Max) (Zzt)：17 Ohms
- 厂商：Micro Commercial Co
- Product Status：活跃
- Package Description：ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-6
- Package Style：小概要
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：BLF8G22LS-200GVJ
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Ampleon
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：接触制造商
- Ihs Manufacturer：AMPLEON NETHERLANDS B V
- Risk Rank：5.56
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- 容差：±1.96%
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 参考标准：IEC-60134
- JESD-30代码：R-CDSO-G6
- 配置：SINGLE
- 反向泄漏电流@ Vr：5 µA @ 2 V
- 操作模式：增强型MOSFET
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.2 V @ 100 mA
- 箱体转运：SOURCE
- 功率 - 最大：350 mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 电压 - 齐纳（标准值）（Vz）：5.1 V
- DS 击穿电压-最小值：65 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最高频段：S带
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