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单相BJT晶体管 / JAN2N6352
- 价格 起订量
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- 型号： JAN2N6352
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 4-SMD, No Lead
- 描述： NPN TRANSISTOR
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 包装/外壳：4-SMD, No Lead
- 安装类型：表面贴装
- 底架：通孔
- 引脚数：4
- 供应商器件包装：TO-66 (TO-213AA)
- Product Status：活跃
- 厂商：Suntsu Electronics, Inc.
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：5 A
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5 V
- Number of Elements：1
- RoHS：Non-Compliant
- 系列：SXT214
- 操作温度：-20°C ~ 70°C
- 包装：Bulk
- 尺寸/尺寸：0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
- 类型：兆赫晶体
- 最高工作温度：125 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 频率：20 MHz
- 频率稳定性：±30ppm
- ESR（等效串联电阻）：200 Ohms
- 极性：NPN
- 负载电容：10pF
- 元素配置：Single
- 操作模式：Fundamental
- 频率容差：±20ppm
- 功率 - 最大：2 W
- 晶体管类型：NPN - Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：80 V
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：2000 @ 5A, 5V
- 最大集极截止电流：-
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.5V @ 5mA, 5A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：80 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：12 V
- 座位高度(最大)：0.020 (0.50mm)
- 辐射硬化：无
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