简体中文
图片经供参考，以实物为准
RF BJT 晶体管 / NTE23
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： NTE23
- 厂商： NTE ELECT
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： NTE Electronics
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：Panel Mount, Through Hole
- 底架：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-92
- Voltage Rating DC：28V
- Contact Materials：--
- Voltage Rating AC：115V
- Manufacturer Part Number：NTE23
- Manufacturer：NTE Electronics
- RoHS：Compliant
- Package：Bag
- Current-Collector (Ic) (Max)：50mA
- 厂商：NTE Electronics, Inc
- Product Status：活跃
- 系列：51
- 操作温度：150°C (TJ)
- 零件状态：活跃
- 定位的数量：3
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 额定电流：150mA (AC), 200mA (DC)
- 触点表面处理：Gold
- 终端样式：PC引脚
- 执行器类型：Flatted (3.17mm Dia)
- 面板开孔尺寸：--
- 功率 - 最大：250mW
- 甲板数量：1
- 操作力：5.761 ~ 17gfm
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：14 V
- 最大集电极电流：50 mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：25 @ 10mA, 10V
- 触点定时：Non-Shorting (BBM)
- 增益：15dB
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：14V
- 索引停止：固定式
- 每层电路：3P3T
- 面板后深度：14.63mm
- 频率转换：2GHz
- 每个甲板的杆数：3
- 集电极基极电压(VCBO)：30 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：3 V
- 投掷角度：30°
- 噪音数字(分贝类型@ f)：3dB @ 500MHz
- 特征：工艺密封
- 执行器长度：9.53mm
相关产品
