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图片经供参考，以实物为准
RF BJT 晶体管 / 1075MP
- 价格 起订量
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- 型号： 1075MP
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装：
- 描述： Trans GP BJT NPN 65V 6.5A 3-Pin Case 55FW-1
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 底架：Chassis Mount, Surface Mount
- 表面安装：YES
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65 V
- RoHS：Compliant
- Package Description：CASE 55FW-1, 4 PIN
- Package Style：磁盘按钮
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：1075MP
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.53
- 包装：Bulk
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 子类别：BIP 射频小信号
- 最大功率耗散：250 W
- 端子位置：RADIAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：O-XRDB-F4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：65 V
- 最大集电极电流：6.5 A
- 增益：8.5 dB
- 转换频率：1.15 GHz
- 最大耗散功率(Abs)：250 W
- 集电极电流-最大值(IC)：6.5 A
- 最小直流增益（hFE）：20
- 集电极-发射器电压-最大值：65 V
- 最高频段：L带
- 集电极-基极电容-最大值：50 pF
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