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单相BJT晶体管 / 2N5681
- 价格 起订量
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- 型号： 2N5681
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装：
- 描述： Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：30 MHz
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100 V
- Power Dissipation (Max)：1 W
- hFEMin：40
- RoHS：Non-Compliant
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：无
- Transition Frequency-Nom (fT)：30 MHz
- Manufacturer Part Number：2N5681
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.13
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- HTS代码：8541.29.00.95
- 子类别：其他晶体管
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：O-MBCY-W3
- 资历状况：不合格
- 极性：NPN
- 配置：SINGLE
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1 W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：100 V
- 最大集电极电流：1 A
- JEDEC-95代码：TO-5
- 集电极基极电压(VCBO)：100 V
- 最大耗散功率(Abs)：10 W
- 发射极基极电压 (VEBO)：4 V
- 集电极电流-最大值(IC)：1 A
- 最小直流增益（hFE）：5
- 集电极-发射器电压-最大值：100 V
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