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单MOSFET晶体管 / BUZ73ALH
- 价格 起订量
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- 型号： BUZ73ALH
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： 5.5 A 200 V 0.6 Ohm N-channel Si Power Mosfet TO-220AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer：Eurotherm
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Package Description：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：BUZ73ALH
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.25
- Part Package Code：TO-220AB
- Drain Current-Max (ID)：5.5 A
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 附加功能：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- 子类别：FET 通用电源
- 最大功率耗散：40 W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：40 W
- 接通延迟时间：15 ns
- 无卤素：无卤素
- 上升时间：60 ns
- 漏源电压 (Vdss)：200 V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：5.5 A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.6 Ω
- 漏源击穿电压：200 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：22 A
- 输入电容：840 pF
- DS 击穿电压-最小值：200 V
- 雪崩能量等级（Eas）：120 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：40 W
- 漏源电阻：600 mΩ
- 最大rds：600 mΩ
- 辐射硬化：无
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