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图片经供参考，以实物为准
TVS二极管 / MASMBJ120AE3
- 价格 起订量
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- 型号： MASMBJ120AE3
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： TVS二极管
- 封装： QFN
- 描述： Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
- 库存地点： 内地
- 库存： 24
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 包装/外壳：QFN
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 引脚数：2
- 供应商器件包装：SMBJ (DO-214AA)
- Product Depth (mm)：5(mm)
- Operating Temp Range：-20C to 70C
- Mounting Styles：表面贴装
- Reverse Stand-off Voltage：120 V
- RoHS：Compliant
- Package：Bulk
- Base Product Number：SMBJ120
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Breakdown Voltage / V：133 V
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Ipp - Peak Pulse Current：3.1 A
- Pppm - Peak Pulse Power Dissipation：600 W
- Usage Level：Commercial grade
- 包装：Bulk
- 操作温度：-65°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：Military, MIL-PRF-19500
- 类型：Zener
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 组成：Zener
- 应用：通用型
- 引脚数量：6
- 终端样式：SMD/SMT
- 工作电压：120 V
- 极性：单向
- 通道数量：1 Channel
- 元素配置：Single
- 电源线保护：无
- 电压 - 击穿：133V
- 功率 - 脉冲峰值：600W
- 峰值脉冲电流（10/1000μs）：3.1A
- 最大反向漏电电流：1 µA
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：193V
- 箝位电压 ：193 V
- 电压 - 反向断态（典型值）：120V
- 峰值脉冲电流：3.1 A
- 峰值脉冲功率：600 W
- 方向：单向
- 测试电流：1 mA
- 单向通道：1
- 产品类别：TVS 二极管
- 电容@频率：-
- 筛选水平：COMMERCIALC
- 单向通道数：1
- 最小击穿电压：133 V
- 产品长度(mm)：7(mm)
- 产品高度(mm)：0.9(mm)
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