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RF BJT 晶体管 / NE68133T1BA
- 价格 起订量
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- 型号： NE68133T1BA
- 厂商： NEC(日电电子)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装：
- 描述： Transistor NPN 1GHZ SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- 材料：Nylon 6/6
- MaxPanel Thickness (mm)：4.0
- Head Dia (mm)：10,7
- Locking Step：PRYOUT
- Overall Height (mm)：8,3
- Mounting Hole Dia. (in)：0.250
- Mounting Hole Dia. (mm)：6,4
- Alternate PN：POP 250
- Overall Height (in)：0.33
- Note-1：用于管道和卡套管末端的POP卡箍
- UL：Recognized File E51579
- CSA：File 8919
- MaxPanel Thickness (in)：0.156
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：10 V
- Number of Elements：1
- Voltage Rating (DC)：10 V
- RoHS：Compliant
- 包装：卷带
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：200 mW
- 额定电流：65 mA
- 频率：9 GHz
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200 mW
- 集电极发射器电压(VCEO)：10 V
- 最大集电极电流：65 mA
- 温度范围：-40C to +105C
- 增益：13 dB
- 转换频率：9 GHz
- 最大击穿电压：10 V
- 集电极基极电压(VCBO)：20 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：1.5 V
- 连续集电极电流：65 mA
- 可燃性等级：94V-2
- 无铅：无铅
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