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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / DDC114EUQ-13-F
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： DDC114EUQ-13-F
- 厂商： DIODES(美台)
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：SOT-363
- Transistor Polarity：Dual NPN
- RoHS：Compliant
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：10000
- Manufacturer：Diodes Incorporated
- Brand：Diodes Incorporated
- Package：Tape & Reel (TR)
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- 厂商：Diodes Incorporated
- Product Status：活跃
- 包装：MouseReel
- 系列：Automotive, AEC-Q101, DDC (XXXX) U
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：Transistors
- 极性：NPN
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：200
- 功率 - 最大：200mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- 晶体管类型：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：50 V
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30 @ 5mA, 5V
- 最大集极截止电流：500nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 500µA, 10mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 频率转换：250MHz
- 电阻基(R1)：10kOhms
- 连续集电极电流：50
- 电阻-发射极基极(R2)：10kOhms
- 产品类别：Bipolar Transistors - Pre-Biased
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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