简体中文
图片经供参考，以实物为准
整流二极管阵列 / MSRT150120D
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： MSRT150120D
- 厂商： HORNBY ELECTRONIC(南通康比)
- 类别： 整流二极管阵列
- 封装： Three Tower
- 描述： 1200V 150A THREE TOWER SILICON R
- 库存地点： 内地
- 库存： 24
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：三塔
- 供应商器件包装：三塔
- Package：Bulk
- Base Product Number：MSRT150
- 厂商：GeneSiC Semiconductor
- Product Status：活跃
- Current - Average Rectified (Io) (per Diode)：150A
- Vr - Reverse Voltage：1200 V
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：40
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Manufacturer：GeneSiC Semiconductor
- Brand：GeneSiC Semiconductor
- If - Forward Current：150 A
- RoHS：Details
- Ifsm - Forward Surge Current：2250 A
- 系列：-
- 包装：Bulk
- 类型：Standard Recovery Rectifier Module
- 子类别：Discrete Semiconductor Modules
- 技术：Standard
- 速度：Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- 反向泄漏电流@ Vr：10 µA @ 1200 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 150 A
- 工作温度 - 结点：-55°C ~ 150°C
- 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）：1200 V
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 二极管配置：1 Pair Series Connection
- 产品：Rectifier Modules
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
相关产品
