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存储器 / CY7C1313KV18-250BZXC
- 价格 起订量
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- 型号： CY7C1313KV18-250BZXC
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 存储器
- 封装： 165-LBGA
- 描述： SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：面板安装
- 包装/外壳：165-LBGA
- 越来越多的功能：Bulkhead - Front Side Nut
- 触点形状：Circular
- 外壳材料：Aluminum
- 供应商器件包装：165-FBGA (13x15)
- 插入材料：--
- Lead Free Status / RoHS Status：--
- Contact Sizes：16 (2), 20 (37)
- Maximum Clock Rate：250 MHz
- Supplier Package：FBGA
- Data Rate Architecture：QDR
- Typical Operating Supply Voltage：1.8000 V
- Minimum Operating Supply Voltage：1.7 V
- Timing Type：Synchronous
- Number of Words：1 MWords
- Number of I/O Lines：18 Bit
- Maximum Operating Supply Voltage：1.9 V
- Mounting：表面贴装
- Package：Tray
- Base Product Number：CY7C1313
- 厂商：Infineon Technologies
- Product Status：Obsolete
- Memory Types：Volatile
- Usage Level：Commercial grade
- 操作温度：-65°C ~ 175°C
- 系列：Military, MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV
- 包装：Bulk
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：--
- 连接器类型：插座外壳
- 类型：用于公引脚
- 定位的数量：39
- 紧固类型：Threaded
- 触点类型：Crimp
- 技术：SRAM - Synchronous, QDR II
- 电压 - 供电 ：1.7V ~ 1.9V
- 方向：B
- 屏蔽/屏蔽：Shielded
- 入口保护：抗环境干扰
- 外壳完成：Durmalon™
- 引脚数量：165
- 外壳尺寸-插入：21-39
- 房屋颜色：--
- 注意：不包括触点
- 内存大小：18Mbit
- 端口的数量：2
- 外壳尺寸，MIL：G
- 时钟频率：250 MHz
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 建筑学：Pipelined
- 写入周期时间 - 字符、页面：-
- 地址总线宽度：18 Bit
- 密度：18 Mb
- 包括：--
- 筛选水平：Commercial
- 特征：--
- 组织的记忆：1M x 18
- 材料可燃性等级：--
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