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单相BJT晶体管 / SMMBT5401LT1

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  • 型号: SMMBT5401LT1
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 描述: Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 141782
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:面板安装
  • 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 越来越多的功能:Flange
  • 触点形状:Circular
  • 外壳材料:铝合金
  • 供应商器件包装:SOT-23-3 (TO-236)
  • 插入材料:Plastic
  • Lead Free Status / RoHS Status:--
  • Contact Sizes:16
  • RoHS:Non-Compliant
  • Package:Bulk
  • Current-Collector (Ic) (Max):500 mA
  • 厂商:onsemi
  • Product Status:活跃
  • 操作温度:-65°C ~ 200°C
  • 系列:Military, MIL-DTL-38999 Series III, DTS
  • 包装:Bulk
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):--
  • 连接器类型:插座外壳
  • 类型:用于内螺纹插座
  • 定位的数量:11
  • 紧固类型:Threaded
  • 触点类型:Crimp
  • 方向:D
  • 屏蔽/屏蔽:Shielded
  • 入口保护:抗环境干扰
  • 外壳完成:化学镍
  • 外壳尺寸-插入:19-11
  • 房屋颜色:Silver
  • 注意:不包括触点
  • 外壳尺寸,MIL:F
  • 功率 - 最大:300 mW
  • 晶体管类型:PNP
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:60 @ 10mA, 5V
  • 最大集极截止电流:50nA (ICBO)
  • 包括:--
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):500mV @ 5mA, 50mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):150 V
  • 频率转换:300MHz
  • 特征:--
  • 材料可燃性等级:--

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