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单相BJT晶体管 - 预偏置 / PDTC115EMB315
- 价格 起订量
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- 型号： PDTC115EMB315
- 厂商： NXP(恩智浦)
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： 4-SMD, No Lead
- 描述： PDTC115E - NPN RESISTOR-EQUIPPED
- 库存地点： 内地
- 库存： 151735
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：4-SMD, No Lead
- 供应商器件包装：DFN1006B-3
- Package：Strip
- 厂商：SiTime
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：20 mA
- 操作温度：-20°C ~ 70°C
- 系列：SiT1602B
- 尺寸/尺寸：0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
- 类型：XO (Standard)
- 电压 - 供电 ：2.8V
- 频率：66.6 MHz
- 频率稳定性：±50ppm
- 输出量：HCMOS, LVCMOS
- 功能：Enable/Disable
- 基本谐振器：MEMS
- 最大电流源：4.5mA
- 扩频带宽：-
- 功率 - 最大：250 mW
- 晶体管类型：NPN - Pre-Biased
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 5mA, 5V
- 最大集极截止电流：1µA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：150mV @ 250µA, 5mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V
- 频率转换：230 MHz
- 绝对牵引范围 (APR)：-
- 电阻基(R1)：100 kOhms
- 电阻-发射极基极(R2)：100 kOhms
- 座位高度(最大)：0.031 (0.80mm)
- 评级结果：-
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