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单相BJT晶体管 - 预偏置 / MPSW56RLRP

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  • 型号: MPSW56RLRP
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单相BJT晶体管 - 预偏置
  • 封装: 2-SMD, Flat Lead
  • 描述: Small Signal Bipolar Transistor
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 258117
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:2-SMD, Flat Lead
  • 表面安装:NO
  • 引脚数:3
  • 供应商器件包装:2-SMD
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Package:Tape & Reel (TR)
  • 厂商:OSRAM Opto (ams OSRAM)
  • Product Status:Obsolete
  • Wavelength-dominant:588nm
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:-500 mV
  • hFEMin:100
  • Voltage Rating (DC):-80 V
  • RoHS:Compliant
  • Current-Collector (Ic) (Max):500 mA
  • Base Product Number:MPSW56
  • Package Description:CASE 29-10, TO-92, 3 PIN
  • Package Style:CYLINDRICAL
  • Moisture Sensitivity Levels:未说明
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Manufacturer Package Code:CASE 29-10
  • Reflow Temperature-Max (s):30
  • Rohs Code:
  • Transition Frequency-Nom (fT):50 MHz
  • Manufacturer Part Number:MPSW56RLRP
  • Package Shape:ROUND
  • Manufacturer:Rochester Electronics LLC
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
  • Risk Rank:5.2
  • Part Package Code:TO-92
  • 系列:微边框
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 尺寸/尺寸:2.20mm L x 1.10mm W
  • JESD-609代码:e0
  • 无铅代码:
  • 端子表面处理:锡铅
  • 最高工作温度:150 °C
  • 最小工作温度:-55 °C
  • 颜色:Yellow
  • 最大功率耗散:1 W
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:THROUGH-HOLE
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):240
  • Reach合规守则:unknown
  • 额定电流:-500 mA
  • 引脚数量:3
  • JESD-30代码:O-PBCY-T3
  • 资历状况:COMMERCIAL
  • 极性:PNP
  • 配置:-
  • 元素配置:Single
  • 电压 - 正向 (Vf) (类型):2.2V
  • 视角:120°
  • 功率 - 最大:1 W
  • 测试电流:20mA
  • 镜头风格:长方形,带平顶
  • 晶体管应用:AMPLIFIER
  • 镜头尺寸:-
  • 增益带宽积:50 MHz
  • 极性/通道类型:PNP
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极发射器电压(VCEO):-80 V
  • 最大集电极电流:500 mA
  • Millicandela评级:785mcd
  • 镜头透明度:Clear
  • 波长 - 峰值:-
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:50 @ 250mA, 1V
  • 最大集极截止电流:500nA
  • JEDEC-95代码:TO-226
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):500mV @ 10mA, 250mA
  • 镜头颜色:Colorless
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 频率转换:50MHz
  • 集电极基极电压(VCBO):-80 V
  • 发射极基极电压 (VEBO):4 V
  • 集电极电流-最大值(IC):0.5 A
  • 最小直流增益(hFE):50
  • 集电极-发射器电压-最大值:80 V
  • 特征:-
  • 高度(最大):1.30mm
  • 无铅:含铅

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