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单相BJT晶体管 - 预偏置 / PBRP123ET-QR
- 价格 起订量
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- 型号： PBRP123ET-QR
- 厂商： Nexperia(安世)
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Transistor Digital BJT PNP 40V 600mA 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 24
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供应商器件包装：TO-236AB
- Transistor Polarity：PNP
- Package：Tape & Reel (TR)
- Current-Collector (Ic) (Max)：600 mA
- Base Product Number：PBRP123
- 厂商：Nexperia USA Inc.
- Product Status：活跃
- Typical Resistor Ratio：1
- Pd - Power Dissipation：370 mW
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：70
- Typical Input Resistor：2.2 kOhms
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：40 V
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 配置：Single
- 功率耗散：250
- 功率 - 最大：250 mW
- 晶体管类型：PNP - Pre-Biased
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：180 @ 300mA, 5V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：750mV @ 6mA, 600mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V
- 电阻基(R1)：2.2 kOhms
- 连续集电极电流：600
- 电阻-发射极基极(R2)：2.2 kOhms
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