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单片IGBT晶体管 / RGWX5TS65DGC11
- 价格 起订量
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- 型号： RGWX5TS65DGC11
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247N-3
- 描述： Transistor IGBT N-CH 650V 132A 3-Pin TO-247N Bulk
- 库存地点： 内地
- 库存： 1083
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-247N-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：TO-247N
- Maximum Gate Emitter Voltage：- 30 V, + 30 V
- Pd - Power Dissipation：348 W
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5 V
- Minimum Operating Temperature：- 40 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：450
- Continuous Collector Current at 25 C：132 A
- Mounting Styles：通孔
- Manufacturer：ROHM 半导体
- Brand：ROHM 半导体
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：650 V
- Package：Tube
- Current-Collector (Ic) (Max)：132 A
- 厂商：Rohm Semiconductor
- Product Status：活跃
- Test Conditions：400V, 75A, 10Ohm, 15V
- 包装：Tube
- 操作温度：-40°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：-
- 子类别：IGBTs
- 技术：Si
- 配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：348 W
- 产品类别：IGBT晶体管
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V, 75A
- 连续集电极电流：132
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：213 nC
- 集极脉冲电流（Icm）：300 A
- Td（开/关）@25°C：64ns/229ns
- 开关能量：2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
- 反向恢复时间(trr)：101 ns
- 产品类别：IGBT晶体管
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